قامت شركة Samsung System LSI اليوم بتصنيع شريحة Exynos 2700 في منشأة الإنتاج الخاصة بها، لتدخل السوق بمعمارية 2 نانومتر من نوع Gate‑All‑Around.

تقنية SF2P بدقة 2 نانومتر

تستند الشريحة إلى تقنية التصنيع SF2P التي تعتمد على بنية Gate‑All‑Around، ما يمنحها قدرةً على دمج المكونات بصورة أكثر كثافة. هذه التقنية تسمح بإنشاء ترانزستورات أصغر وأكثر كفاءة، وهو ما يُعد خطوةً مهمةً في مسار التطوير.

تحسين الأداء واستهلاك الطاقة

أظهرت الاختبارات الأولية أن تقنية SF2P تعزز أداء الشريحة بنسبة 12 % مقارنةً بالجيل السابق الذي يستخدم تقنية SF2 في Exynos 2600. إلى جانب ذلك، يُقَدَّر أن استهلاك الطاقة يقل بنسبة 25 %، ما يُسهم في إطالة عمر البطارية في الأجهزة التي ستُستَخدم فيها.

تقليل مساحة الشريحة

بفضل البنية المتقدمة، تم تقليص مساحة الشريحة بنسبة 8 % مقارنةً بالنسخة التي تعتمد تقنية SF2. هذا الانخفاض يسمح بتصميم هواتف أكثر نحافة أو إضافة مكونات أخرى دون الإخلال بالحجم الكلي للجهاز.

نوى ARM C2 وتوسيع التصميم

من المتوقع أن تتضمن Exynos 2700 نوى ARM C2، ما يعزز من قدرات المعالجة المتوازية ويُحسّن من أداء التطبيقات المتعددة. صممت الشريحة بالكامل شركة Samsung System LSI، التي وسعت نطاق عملها لتلبية الطلب المتزايد على معالجات ذات كفاءة عالية في السوق العالمي.